型号/品牌/封装
品类/描述
库存
价格(含税)
资料
-
![]()
品类: 中高压MOS管描述: VISHAY SIHB12N60E-GE3 场效应管, MOSFET, N沟道, 600V, 12A, TO-263-3788610+￥7.0980100+￥6.7431500+￥6.50651000+￥6.49472000+￥6.44745000+￥6.38827500+￥6.340910000+￥6.3172 -
![]()
品类: 中高压MOS管描述: N 通道 MOSFET，E 系列，低品质因数，Vishay Semiconductor Vishay E 系列 MOSFET 电源是高电压晶体管，具有超低最大接通电阻、低灵敏值和快速切换功能。 它们提供各种电流额定值。 典型应用包括服务器和电信电源、LED 照明、回扫转换器、功率因数校正 (PFC) 和开关模式电源 (SMPS)。 ### 特点 低灵敏值 (FOM) RDS(on) x Qg 低输入电容 (Ciss) 低接通电阻（RDS（接通）） 超低栅极电荷 (Qg) 快速切换 减少切换和传导损耗 ### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor962510+￥11.6424100+￥11.0603500+￥10.67221000+￥10.65282000+￥10.57525000+￥10.47827500+￥10.400510000+￥10.3617 -
![]()
品类: 中高压MOS管描述: VISHAY SIHB6N65E-GE3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7 A, 650 V, 0.5 ohm, 10 V, 2 V545110+￥10.0464100+￥9.5441500+￥9.20921000+￥9.19252000+￥9.12555000+￥9.04187500+￥8.974810000+￥8.9413
